目前，国电这两款产品看尚还未曾正式发布过，针对此前年初看尚炫看系列宣布的32-65英寸全阵列覆盖计划，记者猜测很有可能是对该系列产品的填充。
【论文地址】Gui-ShiLiu,TingWang,YexiongWang,HuajianZheng,YunsenChen,ZijieZeng,LeiChen,YaofeiChen,Bo-RuYang*,YunhanLuo*,andZheChen.One-stepplasmonicweldingandphotolithographicpatterningofsilvernanowirenetworkbyUV-programablesurfaceatomdiffusion.NanoResearch,2021,10.1007/s12274-021-3796-y.【论文作者简介】刘贵师，南自年上博士，南自年上硕士生导师，暨南大学光电工程系助理教授。已在Biomaterials、半年ACSAppliedMaterialInterface、PhotonicsResearch、NanoResearch、NatureNanotechnology等国际权威期刊发表论文30多篇，获授权发明专利8项。
净利(e)超声处理前后的图案化AgNW网络的光学显微镜(OM)和数码图像。(f)在紫外光辐照下，国电DPIN光分解及其与银的反应产物。通常，南自年上纯AgNW沉积后形成松散交叠的网络结构，在低功率紫外辐照下（20mW/cm2），AgNW交叠处仅能发生微弱的焊接（图3a，d）。
另一方面，半年受到紫外线照射，Irgacure754可分解为2-氧代-2-苯基乙酸甲酯，与HPMC主链上的羟基反应，实现交联固化（图2h）。目前该论文发表在NanoResearch期刊上，净利并被选为封面论文（图1）：净利图1.银纳米线一步式等离子体焊接与自组装图形化工艺示意图【图文导读】本文报道的类光刻技术包含UV曝光、低温退火和水溶液超声清洗三个步骤（图2a）。
国电图2.(a)AgNW类光刻技术工艺流程图。
所制备的AgNWTE在90%透射率下方块电阻低至3.7Ω/sq，南自年上显著优于商业化ITO薄膜。曾获北京市科学技术奖一等奖，半年中国化学会青年化学奖，中国青年科技奖等奖励。
主要从事仿生功能界面材料的制备及物理化学性质的研究，净利揭示了自然界中具有特殊浸润性表面的结构与性能的关系，净利提出了二元协同纳米界面材料设计体系。这样的膜设计大大促进了跨膜离子的扩散，国电有助于实现5.06Wm-2的高功率密度，这是基于纳米流体膜的渗透能转换的最高值。
南自年上2001年获得国家杰出青年科学基金资助。中国化学会副理事长、半年中国国际科技促进会副会长、半年中关村石墨烯产业联盟理事长、中关村科技园区丰台园科协第三届委员会主席、教育部科技委委员及学风建设委员会副主任和国际合作学部副主任。
